對(duì)于外延片兩個(gè)關(guān)鍵參數(shù)厚度和載流子濃度，目前n型4H-SiC襯底的外延片批量工藝水平如下：面內(nèi)厚度均勻性≤3%，面內(nèi)載流子濃度均勻性≤5%，厚度容差為±6%，濃度容差為±10%。
基于液相法n型3C-SiC襯底
導(dǎo)電類型及晶型：p型4H-SiC，n型3C-SiC
基于液相p型4H-SiC襯底的外延片
