中科匯珠已掌握高質(zhì)量SiC外延片的量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，外延片的膜厚和載流子濃度面內(nèi)及片間均勻性已達(dá)到國(guó)內(nèi)一流水平，缺陷控制技術(shù)比肩國(guó)內(nèi)外主流外延廠商。
中科匯珠自2021年以來(lái)陸續(xù)通過(guò)了4吋650V/10A規(guī)格肖特基二極管（SBD）、6吋650V/60mW規(guī)格金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）、6吋1200V/30A規(guī)格SBD以及6吋1200V/26mW規(guī)格MOSFET的流片驗(yàn)證，良率比肩國(guó)內(nèi)一流水平，量產(chǎn)SiC外延片的質(zhì)量獲得了下游頭部器件廠商的高度認(rèn)可。
中科匯珠6吋外延片
4/6吋外延片規(guī)格參數(shù)