產(chǎn)品描述
襯底類型: p型4H-SiC
標(biāo)準(zhǔn)尺寸: 4吋/6吋
外延層: n型或p型均可
主要應(yīng)用
各類高壓/超高壓二極管
n溝道IGBT
SiC基光電探測(cè)器等
產(chǎn)品描述
襯底類型: p型4H-SiC
標(biāo)準(zhǔn)尺寸: 4吋/6吋
外延層: n型或p型均可
主要應(yīng)用
各類高壓/超高壓二極管
n溝道IGBT
SiC基光電探測(cè)器等