2024年11月8日，為期3天的第五屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國(guó)際會(huì)議(APCSCRM 2024)在中國(guó)深圳坪山格蘭云天國(guó)際酒店隆重閉幕。

     中科匯珠總經(jīng)理、首席技術(shù)官楊軍偉博士受邀出席本次大會(huì)并做”液相法3C-SiC襯底同質(zhì)外延的應(yīng)用與研究”的演講報(bào)告，旨在闡明液相法技術(shù)的先進(jìn)性及對(duì)應(yīng)市場(chǎng)需求的緊迫性。演講圍繞液相法3C-SiC襯底同質(zhì)外延展開了相關(guān)材料應(yīng)用和性能研究的介紹。報(bào)告提到，液相法碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)是一項(xiàng)革新的技術(shù)。其與傳統(tǒng)PVT法相比，具有低制造成本、低晶體缺陷密度、低應(yīng)力以及可生長(zhǎng)多元化材料等優(yōu)點(diǎn)。目前，通過液相法生長(zhǎng)已獲得高質(zhì)量3C-SiC單晶材料，其可以解決現(xiàn)階段4H-SiC MOSFET溝道遷移率低、柵氧界面態(tài)密度高等瓶頸問題。3C-SiC材料有望大幅提升MOSFET器件的可靠性和穩(wěn)定性，推動(dòng)SiC器件大規(guī)模商業(yè)化應(yīng)用。楊軍偉博士重點(diǎn)介紹了中科匯珠在基于液相法3C-SiC單晶襯底上的外延工藝開發(fā)以及材料性能驗(yàn)證成果，表示目前公司已具備生長(zhǎng)基于液相法襯底的高質(zhì)量同質(zhì)外延片的技術(shù)能力，且從實(shí)驗(yàn)上證明了3C-SiC的柵氧界面態(tài)密度比4H-SiC至少低一個(gè)數(shù)量級(jí)。

     此外，楊軍偉博士對(duì)公司的產(chǎn)品做了隆重介紹，其表示公司目前可以為客戶提供多樣化材料需求的產(chǎn)品服務(wù)，其中核心產(chǎn)品之一即為基于液相法襯底的同質(zhì)外延片，包括p型4H-SiC及3C-SiC材料。公司期待與更多的客戶進(jìn)行深入合作，共同開拓SiC產(chǎn)業(yè)的美好未來。

     亞太碳化硅及相關(guān)材料國(guó)際會(huì)議（APCSCRM）自2018年在中國(guó)北京舉辦首屆會(huì)議以來，已經(jīng)成功舉辦五屆，本屆會(huì)議以“芯時(shí)代開放創(chuàng)新·芯機(jī)遇合作發(fā)展”為主題，旨在聚焦寬禁帶半導(dǎo)體（SiC、GaN、Ga2O3、AlN、金剛石等）相關(guān)材料、器件及前沿應(yīng)用，共同探討寬禁帶半導(dǎo)體材料的前沿技術(shù)成果和最新市場(chǎng)動(dòng)態(tài)，為全球?qū)捊麕О雽?dǎo)體領(lǐng)域發(fā)展貢獻(xiàn)智慧與力量，閉幕式現(xiàn)場(chǎng)頒發(fā)了優(yōu)秀海報(bào)獎(jiǎng)和最佳奉獻(xiàn)獎(jiǎng)，中科匯珠有幸榮獲會(huì)務(wù)組頒發(fā)的”最佳貢獻(xiàn)獎(jiǎng)“。