中科匯珠的主要產(chǎn)品為碳化硅外延片，可用于制作中高壓SiC功率器件，包括SBD/JBS、MOSFET 、PiN等。
目前公司已成熟掌握自主研發(fā)的碳化硅外延核心關(guān)鍵技術(shù)，產(chǎn)品通過(guò)下游器件廠商的多輪流片驗(yàn)證，質(zhì)量和性能均獲得了客戶的高度認(rèn)可，已具備碳化硅外延的量產(chǎn)能力。
中科匯珠協(xié)同國(guó)內(nèi)頂級(jí)襯底資源，致力于為客戶提供優(yōu)質(zhì)的外延片生長(zhǎng)服務(wù)，一文帶您了解中科匯珠特色外延產(chǎn)品。
產(chǎn)品一：基于傳統(tǒng)n型4H-SiC襯底的外延片
亮點(diǎn)介紹：中科匯珠已掌握高質(zhì)量SiC外延片的量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，外延片的膜厚和載流子濃度面內(nèi)及片間均勻性已達(dá)到國(guó)內(nèi)一流水平，缺陷控制技術(shù)比肩國(guó)內(nèi)外主流外延廠商。
對(duì)于外延片兩個(gè)關(guān)鍵參數(shù)厚度和載流子濃度，目前n型4H-SiC襯底的外延片批量工藝水平如下：面內(nèi)厚度均勻性≤3%，面內(nèi)載流子濃度均勻性≤5%，厚度容差為±6%，濃度容差為±10%。
中科匯珠自2021年以來(lái)陸續(xù)通過(guò)了4吋650V/10A規(guī)格肖特基二極管（SBD）、6吋650V/60mW規(guī)格金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）、6吋1200V/30A規(guī)格SBD以及6吋1200V/26mW規(guī)格MOSFET的流片驗(yàn)證，良率比肩國(guó)內(nèi)一流水平，量產(chǎn)SiC外延片的質(zhì)量獲得了下游頭部器件廠商的高度認(rèn)可。
中科匯珠6吋外延片
4/6吋外延片規(guī)格參數(shù)
產(chǎn)品二：基于液相法4H-SiC和3C-SiC的外延片
傳統(tǒng)PVT法無(wú)法制備高質(zhì)量低阻p型（摻Al）4H-SiC和3C-SiC襯底，而液相法已突破相應(yīng)制備技術(shù)，將此前遙不可及的器件制造變得觸手可及。p型SiC襯底主要應(yīng)用于制造n溝道IGBT器件，該類(lèi)器件在軌道交通和電網(wǎng)等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值。得益于高溝道遷移率，在1200V以下耐壓規(guī)格3C-SiC基MOSFET擁有極好的性能優(yōu)勢(shì)，尤其是其很低的溝道電阻和極高的柵氧穩(wěn)定性，使其可以兼顧導(dǎo)通電阻和器件可靠性，因此在車(chē)規(guī)級(jí)應(yīng)用上有巨大應(yīng)用前景。
晶格領(lǐng)域采用液相法生長(zhǎng)的4吋晶錠及襯底。
其中a和b分別為液相法生長(zhǎng)的p型4H-SiC和n型3C-SiC晶錠，c為加工后的3C-SiC襯底。
液相法產(chǎn)品一描述
襯底類(lèi)型: n型3C-SiC
標(biāo)準(zhǔn)尺寸: 4吋/6吋
外延層: n型或p型均可
主要應(yīng)用：各種二極管，平面及溝槽MOSFET，SiC基高溫集成電路等。
液相法產(chǎn)品二描述
襯底類(lèi)型: p型4H-SiC
標(biāo)準(zhǔn)尺寸: 4吋/6吋
外延層: n型或p型
主要應(yīng)用：各類(lèi)高壓/超高壓二極管、n溝道IGBT、SiC基光電探測(cè)器等。
